Zcela nový 650V 80A IGBT tranzistor TO247 (NGTB40N65FL2WG) Na skladě

Tato vysoce výkonná elektronická součástka je bipolární tranzistor s izolovaným hradlem (IGBT) navrženo pro zvýšení účinnosti v aplikacích přeměny energie. Zvládne až 650 voltů a 80 ampérů, což jej činí vhodným pro operace s vysokým výkonem.. Zabalen v robustním pouzdře TO247 nabízí vynikající tepelný výkon a spolehlivost.. Ideální pro použití v průmyslových strojích, systémech obnovitelné energie a různých vysokonapěťových aplikacích, tento tranzistor pomáhá optimalizovat řízení výkonu a snižovat energetické ztráty.. Jeho pokročilý design zajišťuje plynulé přepínání a robustní výkon v řadě náročných provozních prostředí. Typ instalace: Průchozí otvor Oblasti použití: Průmyslová oblast Země výroby: Čína Návod v ceně: Ne